6ES7195-7HG00-0XA0

SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 2 AI STANDARD, 2 СТАНДАРТНЫХ АНАЛОГОВЫХ ВХОДА (НАПРЯЖЕНИЕ), 15 MM ШИРИНА, +/-10В, 13 БИТ + ЗНАК, +/-5 В, 12 БИТ+ ЗНАК, 1..5В, 12БИТ, ВРЕМЯ ЦИКЛА 65 МС НА КАНАЛ, СВЕТОДИОД ОШИБКИ ГРУППЫ (GROUP FAULT)

SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 2 ДИСКРЕТНЫХ ВХОДА ~230В, ШИРИНА 15MM, УПАКОВКА ИЗ 5 ШТУК

SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ET200S: 2DO РЕЛЕ(FORM C CONT.) =24В-48В/5A, ~24В-230В/5A, 15 ММ ШИРИНОЙ, СИГНАЛ FIRST-UP, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ

SIMATIC ET 200SP, МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВВОДА, DI 8X =24 В HIGH SPEED, В УПАКОВКЕ: 1 ШТ., ТРИ АЛЬТЕРНАТИВНЫХ РЕЖМА РАБОТЫ: ДИСКРЕТНЫЕ ВХОДЫ, ПЕРЕДИСКРЕТИЗАЦИЯ, OVERSAMPLING, 4 X СЧЁТНЫХ ВХОДА, ДЛЯ УСТАНОВКИ НА БАЗОВЫЙ БЛОК ТИПА A0, ЦВЕТОВОЙ КОД CC02

SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА ДЛЯ ET 200S, 2 DO ~24...230В, 15 MM ШИРИНА, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ

SIMATIC ET 200SP, 5 КРЫШЕК ДЛЯ БАЗОВОГО БЛОКА, 15MM, ДЛЯ ЗАЩИТЫ СВОБОДНЫХ ПОСАДОЧНЫХ МЕСТ

SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДЛЯ ET 200S, 2 DI HIGH FEATURE - УЛУЧШЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, 2 ДИСКРЕТНЫХ ВХОДА С УЛУЧШЕННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ, =24В, 15 MM ШИРИНОЙ, С НАСТРОЙКОЙ ВХОДНОЙ ЗАДЕРЖКИ, ДИАГНОСТИКОЙ КЗ И СВЕТОДИОДОМ ОШИБКИ ГРУППЫ (GROUP FAULT),

SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ET 200S: 4DI ~/= 24В... 48В, 15 ММ ШИРИНА, СО СВЕТОДИОДОМ ОШИБКИ SF (ГРУППОВАЯ ОШИБКА), 5 ШТУК В УПАКОВКЕ

SIMATIC DP, 1 ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S: 4DI =24 В NAMUR, 15 ММ ШИРИНА, СО СВЕОДИОДОМ ОШИБКИ (ГРУППОВАЯ ОШИБКА),