6ES7193-4CC70-0AA0

SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДЛЯ ET 200S, 2 DO HIGH FEATURE - УЛУЧШЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, 2 ДИСКРЕТНЫХ ВЫХОДА С УЛУЧШЕННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ, =24В, 15 MM ШИРИНА, ДИАГНОСТИКА КЗ И ОБРЫВА ЛИНИИ, СВЕТОДИОД ОШИБКИ ГРУППЫ (GROUP FAULT), УПАКОВКА ИЗ 5 ШТУК

SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 2 AI STANDARD, 2 СТАНДАРТНЫХ АНАЛОГОВЫХ ВХОДА (НАПРЯЖЕНИЕ), 15 MM ШИРИНА, +/-10В, 13 БИТ + ЗНАК, +/-5 В, 12 БИТ+ ЗНАК, 1..5В, 12БИТ, ВРЕМЯ ЦИКЛА 65 МС НА КАНАЛ, СВЕТОДИОД ОШИБКИ ГРУППЫ (GROUP FAULT)

SIMATIC ET 200SP, МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА, DQ 8X=24В/0,5A HF С РАСШИРЕННЫМ ФУНКЦИОНАЛОМ, ДЛЯ УСТАНОВКИ НА БАЗОВЫЙ БЛОК ТИПА A0, ЦВЕТОВОЙ КОД CC02, ПОКАНАЛЬНАЯ ДИАГНОСТИКА

SIMATIC DP, 1 ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВВОДА ДЛЯ ET 200S, 8 DO SINK, =24В/0,5A, 15 MM ШИРИНОЙ, 1 ШТУКА В УПАКОВКЕ

SIMATIC DP, 1 ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S: 4DI =24 В NAMUR, 15 ММ ШИРИНА, СО СВЕОДИОДОМ ОШИБКИ (ГРУППОВАЯ ОШИБКА),

SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 2 ДИСКРЕТНЫХ ВХОДА ~230В, ШИРИНА 15MM, УПАКОВКА ИЗ 5 ШТУК

SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ET 200S: 4DI ~/= 24В... 48В, 15 ММ ШИРИНА, СО СВЕТОДИОДОМ ОШИБКИ SF (ГРУППОВАЯ ОШИБКА), 5 ШТУК В УПАКОВКЕ

SIMATIC ET 200SP, 5 КРЫШЕК ДЛЯ БАЗОВОГО БЛОКА, 20MM, ДЛЯ ЗАЩИТЫ СВОБОДНЫХ ПОСАДОЧНЫХ МЕСТ

SIMATIC ET 200SP, МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА, DQ 4X~2$... 230 В/2 А СТАНДАРТНЫЙ, ДЛЯ УСТАНОВКИ НА БАЗОВЫЙ БЛОК ТИПА B1, ЦВЕТОВОЙ КОД CC41, ДИАГНОСТИКА МОДУЛЯ